據報道，2016年7月4日，英國牛津儀器公司利用其納米實驗室納米級生長系統正式啟動了二維二硫化鉬生長工藝研究。

二維硫化鉬（單層二硫化鉬）是一種直接帶隙半導體材料，在光電領域具有廣泛的應用，如發光二級光、光伏電池、光探測器、生物傳感器等

牛津儀器公司對化學氣相淀積工藝進行了優化，開發了納米實驗室系統，這一系統能夠處理廣泛領域的液態/固態/金屬-有機材料，十分適用于二維材料生長。該系統能夠提供在藍寶石、原子層淀積鋁(氧化鋁和氧化硅)等各種襯底上生長的能力，也能夠淀積硫化鎢、二硫化鉬等二維過渡金屬硫化物。拉曼分析表明了單層材料的高品質，原子力顯微鏡表明了薄膜的平滑和一致性。該公司期待二維材料生長工藝的開發，將推動下一代納米電子器件的開發。